做化學(xué)水浴沉積薄膜用什么樣的恒溫磁力攪拌器好
何謂薄膜沉積
在機(jī)械產(chǎn)業(yè)、電子產(chǎn)業(yè)或半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性在材料表面上以各種方法形成被膜(一層薄膜),而加以使用,假如此被膜經(jīng)過原子層的過程所形成時(shí),一般將此等薄膜沉積稱為蒸鍍(蒸著)處理。采用蒸鍍處理時(shí),以原子或分子的層次控制蒸鍍粒子使其形成被膜,因此可以得到以熱平衡狀態(tài)無法得到的具有特殊構(gòu)造及功能的被膜。
薄膜沉積是目前zui流行的表面處理法之一,可應(yīng)用于裝飾品、餐具、刀具、工具、模具、半導(dǎo)體組件等之表面處理,泛指在各種金屬材料、超硬合金、陶瓷材料及晶圓基板的表面上,成長一層同質(zhì)或異質(zhì)材料薄膜的制程,以期獲得美觀耐磨、耐熱、耐蝕等特性。
薄膜沈積依據(jù)沉積過程中,是否含有化學(xué)反應(yīng)的機(jī)制,可以區(qū)分為物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡稱PVD)通常稱為物理蒸鍍及化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)通常稱為化學(xué)蒸鍍。
隨著沉積技術(shù)及沉積參數(shù)差異,所沈積薄膜的結(jié)構(gòu)可能是『單晶』、『多晶』、或『非結(jié)晶』的結(jié)構(gòu)。單晶薄膜的沉積在集成電路制程中特別重要,稱為是『磊晶』(epitaxy)。相較于晶圓基板,磊晶成長的半導(dǎo)體薄膜的優(yōu)點(diǎn)主要有:可以在沉積過程中直接摻雜施體或受體,因此可以控制薄膜中的『摻質(zhì)分布』(dopant profile),而且不包含氧與碳等雜質(zhì)。
在這里給做化學(xué)水浴沉積薄膜的用戶推薦幾個(gè)恒溫磁力攪拌器
zui大攪拌容量1000ml,電子控溫,室溫~100℃,加熱功率:250W,調(diào)速0~2400轉(zhuǎn)/分磁力攪拌器為小型單85-1恒溫磁力攪拌器,其結(jié)構(gòu)合理,操作方便,采用無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng),電機(jī)無溫升,轉(zhuǎn)速穩(wěn)定。適合于各領(lǐng)域的較小容量單攪拌場合使用。
zui大攪拌容量1000ml,數(shù)顯控溫,室溫~100℃,加熱功率:300W,調(diào)速0~2400轉(zhuǎn)/分
三。 85-2A 數(shù)顯測(cè)速恒溫磁力攪拌器
zui大攪拌容量1000ml,數(shù)顯控溫,室溫~100℃,加熱功率:300W,數(shù)顯測(cè)速本磁力攪拌器為強(qiáng)磁力單攪拌器磁力攪拌器,其結(jié)構(gòu)合理,操作方便,適合于各領(lǐng)域的中等容量單攪拌場合使用